PECVD技術(shù)是上世紀(jì)70年代初發(fā)展起來的新工藝，主要是為了適應(yīng)現(xiàn)代半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展，制取優(yōu)質(zhì)介質(zhì)膜；適用于硅片、太陽能電池板的鍍膜防護(hù)應(yīng)用。以下，百騰小編就來簡(jiǎn)單分享何為PECVD沉積工藝知識(shí)（一）

PECVD工作原理

PECVD系統(tǒng)是一組用平行板鍍膜舟和高頻等離子激發(fā)器的系列發(fā)生器。在低壓和升溫的情況下，等離子發(fā)生器直接裝在鍍膜板中間的介質(zhì)的中間發(fā)生反應(yīng)。所用的活性氣體為硅烷和氨這些氣體作用于存儲(chǔ)在硅片上的氮化硅?？梢愿鶕?jù)改變硅烷對(duì)氨的比率，來得到不同的折射指數(shù)。在沉積工藝中，伴有大量的氫原子和氫離子的產(chǎn)生，使得晶片的氫鈍化性十分良好。

現(xiàn)代科技對(duì)半導(dǎo)體器件的可靠性和穩(wěn)定性要求越來越高，為了防止器件制造過程中的表面玷污，必須進(jìn)行表面鈍化，用 PECVD法制備的鈍化膜的沉積實(shí)在低溫(200~400℃)進(jìn)行的，鈍化效果好，失效時(shí)間長，具有良好的熱學(xué)和化學(xué)穩(wěn)定性。

在PECVD沉積工藝中為了更好的提升產(chǎn)品鍍膜工藝，一般會(huì)用到鍍膜陪片，作為每批次產(chǎn)品鍍膜技術(shù)參考，及給客戶產(chǎn)品留樣，以便下次鍍膜比對(duì)用等作用。

簡(jiǎn)述PECVD沉積工藝中的鍍膜陪片作用

PECVD沉積工藝的鍍膜陪片，通過在硅片表面先制作絨面，然后在絨面的表面預(yù)先沉積有二氧化硅膜層，因而在鍍膜陪片進(jìn)行返工清洗過程中，由于待沉積膜的底層有一層相對(duì)疏松的二氧化硅膜層，使得酸洗時(shí)就會(huì)大大提升去除待沉積膜的時(shí)間和效果，因此，其能夠?qū)ECVD工藝中沉積的氮化硅膜層快速去除并且去除效果好，從而利于重復(fù)利用。

鍍膜陪片具體實(shí)施方式

適用于PECVD沉積工藝的鍍膜陪片：包括硅片1.硅片；2.絨面；3.待沉積層；4.二氧化硅膜層。

該鍍膜陪片在PECVD沉積工藝中，待沉積膜沉積于所述二氧化硅膜層的表面。其中，所述待沉積膜為氮化硅膜層、氧化鋁膜層、二氧化鈦膜層或氮氧化硅膜層。具體根據(jù)實(shí)際需要而定。

優(yōu)選的，所述二氧化硅膜層的厚度為5～40nm，如厚度可以為5nm、7nm、10nm、12nm、15nm、17nm、19nm、23nm、25nm、28nm、30nm、32nm、34nm、36nm、37nm、38nm、39nm、40nm，這樣在后續(xù)返工處理時(shí)，由于待沉積膜如氮化硅等的底層有一層相對(duì)疏松的二氧化硅膜層，因而在酸洗時(shí)就會(huì)大大的提升去除氮化硅膜層的時(shí)間和效果。

進(jìn)一步地，所述硅片的厚度不小于180um，如厚度可以為180um、188um、192um、195um、200um等，從而可以避免硅片破碎。

在實(shí)施例中，由于其鍍膜陪片是用于PECVD沉積實(shí)驗(yàn)，因而鍍膜陪片需要在硅片的表面先制絨，使硅片的表面形成絨面，而且鍍膜陪片的絨面的大小需要和實(shí)驗(yàn)時(shí)的真片的表面絨面保持一致，例如，鍍膜陪片和真片的表面絨面坑洞大小的差異要保持在10％以內(nèi)；正是由于PECVD的鍍膜方式是屬于直接式的，硅片是電極的一部分，是直接參與反應(yīng)鍍膜的，因而硅片表面不同的絨面會(huì)導(dǎo)致薄膜沉積的速率不同，因而如果鍍膜陪片的表面的絨面和真片差異較大，就會(huì)影響到真片的鍍膜效果，從而影響實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

綜上所述，在PECVD沉積工藝中鍍膜陪片使用，利用二氧化硅膜層的疏松特性，利于酸洗時(shí)去除之前沉積的待沉積膜，便于重復(fù)利用。有效節(jié)約成本，更好地為PECVD沉積工藝試樣提升工作效率。

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